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SiTime硅晶振选型表
| 普通单端振荡器XO 1-220MHz |
高性能、低抖动 <1 ps Phase Jitter ±10ppm |
SiT8208（1-80MHz） |
| SiT8209（80.000001-220 MHz） | ||
| 低功耗系列 <3.8mA |
SiT8008（1-110MHz,最小封装尺寸2.0×1.6mm） | |
| SiT8009（115-137MHz） | ||
| 业界首款SOT23封装振荡器 成本更低 |
SiT2001（1-110MHz,SOT23-5封装2.9×2.8mm） | |
| SiT2002（115-137MHz） | ||
| RTC时钟32.768KHz 超低功耗，超高精度 |
典型值0.9uA ±20ppm |
SiT1533（2.0×1.2mm,SMD） |
| SiT1532（1.5×0.8mm,CSP） | ||
| SiT1630（2012 SMD,-40～105℃） | ||
| 业界精度最高32.768K TCXO | SiT1552（±5ppm,1.5×0.8mm） | |
| 差分振荡器DXO 1-625MHz |
LVDS/LVPECL <1 ps Phase Jitter ±10ppm |
SiT9121（1-220MHz,2.25～3.63v） |
| SiT9122（220.000001-625MHz，最小封装可到3.2×2.5mm） | ||
| 压控振荡器VCXO 1-625MHz |
<1 ps Jitter LVCMOS/LVTTL |
SiT3808（1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm） |
| SiT3809（80.000001-220 MHz） | ||
| <0.75 ps Jitter LVDS/LVPECL |
SiT3821（1-220MHz） | |
| SiT3822（220.000001-625MHz） | ||
| 抗冲击宽温振荡器 -55℃～125℃，±20ppm MTBF 13亿小时 |
AEC-Q100汽车级振荡器 SOT23-5封装 |
SiT2024（1-110MHz, -40～105℃, -40～125℃） |
| SiT2025（115.2-137MHz） | ||
| AEC-Q100汽车级振荡器 普通SMD封装 |
SiT8924（1-110MHz, -40～125℃,封装尺寸最小到2.0×1.6mm） | |
| SiT8925（220.000001-625MHz） | ||
| 50kg冲击军品级振荡器 SOT23-5封装 |
SiT2020（1-110MHz, -55～125℃） | |
| SiT2021（119.342001-137MHz） | ||
| 50kg冲击军品级振荡器 标准SMD封装 |
SiT8920（1-110MHz, -55～125℃,封装尺寸最小到2.0×1.6mm） | |
| SiT8921（119.342001-137MHz） | ||
| 编程器与FP空白片 任意频率，多种规格 |
SiT6100DK（SiTime硅晶振编程器套装） | |
| SiT800X/ SiT200X（低功耗可编程晶振空白片，6种封装尺寸） | ||
| SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000（低抖动可编程晶振空白片） | ||
| SiT912X/ SiT38XX（压控差分可编程晶振空白片，3种封装尺寸） |
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